HGT1S2N120CN
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| Numero di parte | HGT1S2N120CN |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HGT1S2N120CN | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4867 pcs | Scheda dati | HGT(P2,1S)2N120CN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A | Condizione di test | 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 25ns/205ns | di scambio energetico | 96µJ (on), 355µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 | Serie | - |
| Potenza - Max | 104W | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | NPT | carica gate | 30nC |
| Descrizione dettagliata | IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262 | Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 20A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 13A |
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