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HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS
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Numero di parte HGT1S7N60A4DS
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4590 pcs
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Numero di parte HGT1S7N60A4DS fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 34A 125W TO263AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4590 pcs Scheda dati HGT(G,P)7N60A4D, HGT1S7N60A4DS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 7A Condizione di test 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 11ns/100ns di scambio energetico 55µJ (on), 60µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 34ns Potenza - Max 125W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT -
carica gate 37nC Descrizione dettagliata IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 56A Corrente - collettore (Ic) (max) 34A

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