HGT1S10N120BNST
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| Numero di parte | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | 1600 pcs | 2400 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.821 | $0.693 | $0.66 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HGT1S10N120BNST | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 53032 pcs | Scheda dati | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 10A | Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 23ns/165ns | di scambio energetico | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-263AB | Serie | - |
| Potenza - Max | 298W | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Altri nomi | HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 44 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | NPT | carica gate | 100nC |
| Descrizione dettagliata | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB | Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 80A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 35A | Numero di parte base | HGT1S10N120 |
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