HGTD3N60C3S9A
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| Numero di parte | HGTD3N60C3S9A |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HGTD3N60C3S9A | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4802 pcs | Scheda dati | HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2V @ 15V, 3A | Condizione di test | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | - | di scambio energetico | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | - |
| Potenza - Max | 33W | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | - | carica gate | 10.8nC |
| Descrizione dettagliata | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA | Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 24A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 6A |
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