W987D6HBGX7E TR
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| Numero di parte | W987D6HBGX7E TR |
|---|---|
| fabbricante | Winbond Electronics Corporation |
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.848 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | W987D6HBGX7E TR | fabbricante | Winbond Electronics Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 38057 pcs | Scheda dati | W987D6HB/2HB |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 54-VFBGA (8x9) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 54-TFBGA |
| Altri nomi | W987D6HBGX7E TR-ND W987D6HBGX7ETR |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) |
| Frequenza dell'orologio | 133MHz | Tempo di accesso | 5.4ns |
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