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W987D6HBGX6I

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Numero di parte W987D6HBGX6I
fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 33858 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		312 pcs
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Numero di parte W987D6HBGX6I fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 33858 pcs Scheda dati W987D6HB/2HB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR
Contenitore dispositivo fornitore 54-VFBGA (8x9) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 54-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) Frequenza dell'orologio 166MHz
Tempo di accesso 5.4ns

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