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W988D2FBJX7E TR

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Numero di parte W988D2FBJX7E TR
fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 30093 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
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Numero di parte W988D2FBJX7E TR fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 30093 pcs Scheda dati W988D6FB,2FB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR
Contenitore dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 90-TFBGA
Altri nomi W988D2FBJX7E TR-ND
W988D2FBJX7ETR		 temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Frequenza dell'orologio 133MHz Tempo di accesso 5.4ns

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