SIR164DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR164DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | 6000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.222 | $0.211 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR164DP-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88766 pcs | Scheda dati | SIR164DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 3950pF @ 15V |
| Tensione - Ripartizione | PowerPAK® SO-8 | Vgs (th) (max) a Id | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50A (Tc) | Polarizzazione | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIR164DP-T1-GE3TR SIR164DPT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks | codice articolo del costruttore | SIR164DP-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 123nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| rapporto di capacità | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
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