SIR112DP-T1-RE3
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| Numero di parte | SIR112DP-T1-RE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 40V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.227 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR112DP-T1-RE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 40V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 99685 pcs | Scheda dati | SIR112DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.96 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIR112DP-T1-RE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 37.6A (Ta), 133A (Tc) |
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- Parte#:
CPF0402B1K82E1 - Produttori:
AMP Connectors / TE Connectivity - Descrizione:
RES SMD 1.82KOHM 0.1% 1/16W 0402 - Disponibile:
288377