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SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3
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Numero di parte SIR180DP-T1-RE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 66938 pcs
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Numero di parte SIR180DP-T1-RE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 66938 pcs Scheda dati SIR180DP
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET® Gen IV
Rds On (max) a Id, Vgs 2.05 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Altri nomi SIR180DP-T1-RE3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4030pF @ 30V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 32.4A (Ta), 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32.4A (Ta), 60A (Tc)

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