TPH3208LS
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| Numero di parte | TPH3208LS |
|---|---|
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 60 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.152 | $4.636 | $4.224 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH3208LS | fabbricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 7767 pcs | Scheda dati | TPH3208L Series |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±18V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PQFN (8x8) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V | Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 3-PowerDFN |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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