TPH3208PD
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| Numero di parte | TPH3208PD |
|---|---|
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.368 | $3.931 | $3.582 | $3.232 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH3208PD | fabbricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 9871 pcs | Scheda dati | TPH3208PS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | - |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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