TPCP8J01(TE85L,F,M
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| Numero di parte | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.119 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCP8J01(TE85L,F,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 201097 pcs | Scheda dati | TPCP8J01 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PS-8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.14W (Ta) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead | Altri nomi | TPCP8J01(TE85LFM |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 32V | Descrizione dettagliata | P-Channel 32V 5.5A (Ta) 2.14W (Ta) Surface Mount PS-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
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