TPCP8003-H(TE85L,F
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| Numero di parte | TPCP8003-H(TE85L,F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCP8003-H(TE85L,F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5444 pcs | Scheda dati | TPCP8003-HMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PS-8 (2.9x2.4) | Serie | U-MOSIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 2.2A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
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