TPCP8103-H(TE85LFM
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| Numero di parte | TPCP8103-H(TE85LFM |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCP8103-H(TE85LFM | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4120 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPCP8103-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PS-8 (2.9x2.4) | Serie | U-MOSIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 2.4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | TPCP8103-H(TE85LFMCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | P-Channel 40V 4.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
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