TPCF8402(TE85L,F,M
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| Numero di parte | TPCF8402(TE85L,F,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCF8402(TE85L,F,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4156 pcs | Scheda dati | TPCF8402Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V | Potenza - Max | 330mW |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | TPCF8402FDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.2A |
| Numero di parte base | TPC*402 |
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