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TPCF8102(TE85L,F,M

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Numero di parte TPCF8102(TE85L,F,M
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5844 pcs
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Numero di parte TPCF8102(TE85L,F,M fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5844 pcs Scheda dati Mosfets Prod GuideTPCF8102
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore VS-8 (2.9x1.5) Serie U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs 30 mOhm @ 3A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)

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