TPCF8201(TE85L,F,M
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| Numero di parte | TPCF8201(TE85L,F,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCF8201(TE85L,F,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4595 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPCF8201 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 200µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Potenza - Max | 330mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | TPCF8201(TE85L,F) TPCF8201(TE85LFMTR TPCF8201FTR TPCF8201FTR-ND |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
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