TK290P60Y,RQ
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| Numero di parte | TK290P60Y,RQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.233 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK290P60Y,RQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 97235 pcs | Scheda dati | TK290P60Y |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 450µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | DTMOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TK290P60Y,RQ(S TK290P60YRQ(S TK290P60YRQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
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