TK290A65Y,S4X
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| Numero di parte | TK290A65Y,S4X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.639 | $0.516 | $0.464 | $0.361 | $0.299 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK290A65Y,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 64240 pcs | Scheda dati | TK290A65Y |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 450µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS | Serie | DTMOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK290A65Y,S4X(S TK290A65YS4X TK290A65YS4X(S |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
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