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TK2Q60D(Q)

TK2Q60D(Q)
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Numero di parte TK2Q60D(Q)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 74477 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TK2Q60D(Q) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 74477 pcs Scheda dati TK2Q60DMosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PW-MOLD2 Serie π-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3 Ohm @ 1A, 10V Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi TK2Q60DQ temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)

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