TK160F10N1L,LQ
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| Numero di parte | TK160F10N1L,LQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.553 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK160F10N1L,LQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 69956 pcs | Scheda dati | TK160F10N1L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SM(W) | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 80A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Altri nomi | TK160F10N1LLQ |
| temperatura di esercizio | 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Ta) |
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