TK10A60W,S4X
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| Numero di parte | TK10A60W,S4X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.648 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK10A60W,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 52625 pcs | Scheda dati | TK10A60W Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 380 mOhm @ 4.9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK10A60WS4X | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 300V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Ta) |
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