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TK10S04K3L(T6L1,NQ

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Numero di parte TK10S04K3L(T6L1,NQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 113681 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TK10S04K3L(T6L1,NQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 113681 pcs Scheda dati TK10S04K3LMosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK+ Serie U-MOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 28 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi TK10S04K3L(T6L1NQ
TK10S04K3LT6L1NQ		 temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 10A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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