TK100L60W,VQ
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| Numero di parte | TK100L60W,VQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.202 | $12.212 | $10.429 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK100L60W,VQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2920 pcs | Scheda dati | TK100L60W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P(L) | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 797W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3PL |
| Altri nomi | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
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