SSM6N57NU,LF
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| Numero di parte | SSM6N57NU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.055 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM6N57NU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 339545 pcs | Scheda dati | SSM6N57NU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-µDFN(2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 46 mOhm @ 2A, 4.5V | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | SSM6N57NU,LF(B SSM6N57NU,LF(T SSM6N57NULF SSM6N57NULF(TTR SSM6N57NULF(TTR-ND SSM6N57NULFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
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- Parte#:
VJ1206A152FXBCW1BC - Produttori:
Electro-Films (EFI) / Vishay - Descrizione:
CAP CER 1500PF 100V C0G/NP0 1206 - Disponibile:
156319