SSM3J168F,LF
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| Numero di parte | SSM3J168F,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.041 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J168F,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 470947 pcs | Scheda dati | SSM3J168F |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SSM3J168F,LF(B SSM3J168FLF SSM3J168FLF(B SSM3J168FLF-ND SSM3J168FLFTR |
temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 82pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
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