HN3C51F-GR(TE85L,F
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| Numero di parte | HN3C51F-GR(TE85L,F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN3C51F-GR(TE85L,F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4840 pcs | Scheda dati | HN3C51F |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 120V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | Tipo transistor | 2 NPN (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SM6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 300mW | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | SC-74, SOT-457 | Altri nomi | HN3C51F-GR(TE85LF)DKR HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND HN3C51F-GR(TE85LFDKR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 100MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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