HN3C10FUTE85LF
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| Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANSISTOR NPN US6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.235 | $0.197 | $0.173 | $0.148 | ||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | HN3C10FUTE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANSISTOR NPN US6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 148119 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 12V |
| Tipo transistor | 2 NPN (Dual) | Contenitore dispositivo fornitore | US6 |
| Serie | - | Potenza - Max | 200mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | HN3C10FUTE85LFCT | temperatura di esercizio | - |
| Di rumore (dB tip @ f) | 1.1dB @ 1GHz | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno | 11.5dB | Frequenza - transizione | 7GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 80mA |
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