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HN3A51F(TE85L,F)

HN3A51F(TE85L,F)
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Numero di parte HN3A51F(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5014 pcs
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Numero di parte HN3A51F(TE85L,F) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5014 pcs Scheda dati HN3A51F
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 120V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Tipo transistor 2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SM6 Serie -
Potenza - Max 300mW imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 Altri nomi HN3A51F(TE85LF)DKR
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 100MHz Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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