RJK2076DPA-00#J5A
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| Numero di parte | RJK2076DPA-00#J5A |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 20A WPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.479 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK2076DPA-00#J5A | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 20A WPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 80588 pcs | Scheda dati | RJK2076DPA |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | WPAK(3F) (5x6) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 85 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 20A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount WPAK(3F) (5x6) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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