RJK2006DPE-00#J3
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| Numero di parte | RJK2006DPE-00#J3 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK2006DPE-00#J3 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5264 pcs | Scheda dati | RJK2006DPE, DPF, DPJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-LDPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 59 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-83 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 40A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
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