RJK2055DPA-00#J0
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| Numero di parte | RJK2055DPA-00#J0 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V W-PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK2055DPA-00#J0 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V W-PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5526 pcs | Scheda dati | RJK2055DPA |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-WPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 69 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | RJK2055DPA-00#J0-ND RJK2055DPA-00#J0TR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 20A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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