SI2302DS,215
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| Numero di parte | SI2302DS,215 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2302DS,215 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4141 pcs | Scheda dati | SI2302DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 650mV @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | 568-5956-6 | temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
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