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SI2304BDS-T1-E3

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Numero di parte SI2304BDS-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 465581 pcs
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Numero di parte SI2304BDS-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 465581 pcs Scheda dati Si2304BDS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 2.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SI2304BDS-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)

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