SI2302ADS-T1
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| Numero di parte | SI2302ADS-T1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2302ADS-T1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4770 pcs | Scheda dati | SI2302ADS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 2.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Ta) |
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- Parte#:
SIT1602BI-33-28N-33.330000Y - Produttori:
SiTime - Descrizione:
-40 TO 85C, 5032, 50PPM, 2.8V, 3 - Disponibile:
100327