PHD18NQ10T,118
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| Numero di parte | PHD18NQ10T,118 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PHD18NQ10T,118 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5852 pcs | Scheda dati | PHB,PHD,PHP18NQ10T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | 934055700118 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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