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PHD22NQ20T,118

PHD22NQ20T,118
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Numero di parte PHD22NQ20T,118
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5891 pcs
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Numero di parte PHD22NQ20T,118 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5891 pcs Scheda dati PHD22NQ20T
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 120 mOhm @ 12A, 10V Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 934058112118
PHD22NQ20T /T3
PHD22NQ20T /T3-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.8nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21.1A (Tc)

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