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PHD16N03LT,118

PHD16N03LT,118
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Numero di parte PHD16N03LT,118
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4208 pcs
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Numero di parte PHD16N03LT,118 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 30V 16A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4208 pcs Scheda dati PHD16N03LT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±15V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 67 mOhm @ 16A, 10V Dissipazione di potenza (max) 32.6W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi 934057927118
PHD16N03LT /T3
PHD16N03LT /T3-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 16A (Tc) 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)

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