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A2T18S261W12NR3

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Numero di parte A2T18S261W12NR3
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 1332 pcs
Prezzo di Riferimento
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$24.721

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Numero di parte A2T18S261W12NR3 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 1332 pcs Scheda dati A2T18S261W12NR3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 28V
Tensione - nominale 65V Tipo transistor LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore OM-880X-2L2L Serie -
Alimentazione - uscita 280W Contenitore / involucro OM-880X-2L2L
Altri nomi 935338749528 Figura di rumore -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Guadagno 18.2dB
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L
Valutazione attuale 10µA Corrente - Test 1.5A

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