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A2T18H455W23NR6

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Numero di parte A2T18H455W23NR6
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 594 pcs
Prezzo di Riferimento
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$50.71

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Numero di parte A2T18H455W23NR6 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 594 pcs Scheda dati A2T18H455W23NR6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 31.5V
Tensione - nominale 65V Tipo transistor LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore OM-1230-4L2S Serie -
Alimentazione - uscita 56dBm Contenitore / involucro OM-1230-4L2S
Altri nomi 935318707564 Figura di rumore -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Guadagno 14.5dB
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Valutazione attuale 10µA Corrente - Test 1.08A

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