A2T18S262W12NR3
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| Numero di parte | A2T18S262W12NR3 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $24.253 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | A2T18S262W12NR3 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 1338 pcs | Scheda dati | A2T18S262W12NR3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 28V |
| Tensione - nominale | 65V | Tipo transistor | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore | OM-880X-2L2L | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 231W | Contenitore / involucro | OM-880X-2L2L |
| Altri nomi | 935346497528 | Figura di rumore | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Guadagno | 19.3dB |
| Frequenza | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Descrizione dettagliata | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L |
| Valutazione attuale | 10µA | Corrente - Test | 1.6A |
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