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DS1230AB-70IND+

DS1230AB-70IND+
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Numero di parte DS1230AB-70IND+
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4258 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs
$10.864$10.322$9.528
50 pcs100 pcs250 pcs
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Numero di parte DS1230AB-70IND+ fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4258 pcs Scheda dati DS1230Y, AB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns
Tensione di alimentazione - 4.75 V ~ 5.25 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 28-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Altri nomi DS1230AB70IND
Q3622188		 temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 70ns 28-EDIP Numero di parte base DS1230AB
Tempo di accesso 70ns

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