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DS1230AB-150

DS1230AB-150
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Numero di parte DS1230AB-150
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5531 pcs
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Numero di parte DS1230AB-150 fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5531 pcs Scheda dati DS1230Y, AB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 150ns
Tensione di alimentazione - 4.75 V ~ 5.25 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 28-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-EDIP Numero di parte base DS1230AB
Tempo di accesso 150ns

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