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DS1230AB-150+

DS1230AB-150+
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Numero di parte DS1230AB-150+
fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4447 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs
$10.678$10.143$9.362
50 pcs100 pcs250 pcs
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Numero di parte DS1230AB-150+ fabbricante Maxim Integrated
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4447 pcs Scheda dati DS1230Y, AB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 150ns
Tensione di alimentazione - 4.75 V ~ 5.25 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 28-EDIP Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Altri nomi DS1230AB150 temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-EDIP Numero di parte base DS1230AB
Tempo di accesso 150ns

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