CSD23201W10
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| Numero di parte | CSD23201W10 |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD23201W10 | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4315 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi | 296-24258-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
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