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CSD23202W10T

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Numero di parte CSD23202W10T
fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 160279 pcs
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Numero di parte CSD23202W10T fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 160279 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) -6V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-DSBGA (1x1) Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 53 mOhm @ 500mA, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 4-UFBGA, DSBGA
Altri nomi 296-38338-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 35 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 12V
Descrizione dettagliata P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)

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