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CSD22206WT

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Numero di parte CSD22206WT
fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 145923 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte CSD22206WT fabbricante N/A
Descrizione MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 145923 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.05V @ 250µA
Vgs (Max) -6V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 9-DSBGA (1.5x1.5) Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 9-UFBGA, DSBGA
Altri nomi 296-47005-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 35 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2275pF @ 4V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 8V
Descrizione dettagliata P-Channel 8V 5A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA (1.5x1.5) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)

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