RTQ025P02TR
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| Numero di parte | RTQ025P02TR |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.079 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RTQ025P02TR | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 300886 pcs | Scheda dati | RTQ025P02 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | RTQ025P02MGTR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 2.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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