RTQ030P02TR
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| Numero di parte | RTQ030P02TR |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.08 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RTQ030P02TR | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 277526 pcs | Scheda dati | RTQ030P02 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 80 mOhm @ 3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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